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电子器件 2009年第03期杂志 文档列表

电子器件杂志光电子器件及显示技术

2×2 InP/InGaAsP MMI-MZI型光开关设计与实验第485-488页

关键词: 马赫曾德开关；  多模干涉耦合器；  光开关；  

基于光克尔门技术的超快时间分辨测量系统的优化第489-491页

关键词: 光克尔门；  时间分辨；  锁相放大；  

基于荫罩式PDP新型十字扫描电极放大单元的研究第492-496页

关键词: 荫罩式等离子显示器；  十字形扫描电极；  放大单元；  

基于CPLD的面阵CMOS图像传感器的驱动时序设计第500-503页

关键词: 面阵cmos图像传感器；  vhdl；  驱动时序；  

基于ADV212的JPEG2000静态图像压缩系统设计第504-508页

关键词: 图像压缩；  jpeg2000；  adv212；  fpga；  

高分辨率彩色LCoS头盔显示器电路系统的设计与实现第509-512页

关键词: lcos；  头盔显示器；  sdram；  lvds；  fpga；  

H.264/AVC解码器亚象素点插值滤波优化第513-516页

关键词: 亚象素点；  插值滤波；  arm920t；  

低位深图像质量的客观评价第517-521页

关键词: psnr；  低位深；  图像处理；  客观评价；  视觉感受；  空间积分；  

电子器件杂志纳米、固态及真空电子器件

低应力PECVD氮化硅薄膜的制备第522-525页

关键词: pecvd；  射频；  混频；  氮化硅；  应力；  

HDP介质淀积引起的等离子充电损伤机制研究第526-528页

关键词: 等离子体充电损伤；  栅氧化膜；  光电导；  

内透明集电极IGBT（ITC-IGBT）与PT-IGBT、FS-IGBT的性能比较第529-533页

关键词: 内透明集电极；  

SiGe HBT器件特征参数的数值模拟与分析第534-537页

关键词: sige；  hbt；  电流增益；  截止频率；  掺杂浓度；  数值模拟；  

硅材料功率半导体器件结终端技术的新发展第538-546页

关键词: 功率器件；  结终端；  击穿电压；  

HBT小信号等效电路参数提取及其仿真软件的研制第547-549页

关键词: 异质结双极型晶体管；  参数提取；  小信号等效模型；  仿真软件；  

片上螺旋电感集总模型中衬底因子的分析与拟合第550-553页

关键词: 片上螺旋电感；  集总模型；  衬底因子；  趋肤效应和邻近效应；