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电子器件 2007年第02期杂志 文档列表

伪工作点与超宽带CMOS LC VCO设计第-页

关键词: 集成电路设计；  超宽带；  非线性分析；  cmos；  lc；  vco；  

GaAs MISFET制备中柠檬酸/双氧水溶液对GaAs/Al_xGa_(1-x)As结构的选择湿法腐蚀第-页

关键词: 柠檬酸；  选择性湿法腐蚀；  gaas；  mesfet；  

螯合剂对酸性抛光液中铜离子沉积的影响第-页

关键词: 硅；  螯合剂；  酸性抛光液；  金属铜；  表面沉积；  

PIN雪崩光电二极管建模及其特性的研究第-页

关键词: 雪崩光电二极管；  数学模型；  matlab；  光电集成回路；  

一次编程(OTP)存储器的数据保持特性工艺研究第-页

关键词: 叠柵；  otp；  数据保持；  嵌入式；  

下一代栅材料—难熔金属第-页

关键词: 金属栅；  难熔金属；  多晶硅栅耗尽效应；  硼穿通；  

0.35μm CMOS 4位1 Gsample/s全并行模数转换器设计第-页

关键词: 模数转换器；  高速；  全并行；  亚稳态；  cmos工艺；  

NBTI效应及其对集成电路设计的影响第-页

关键词: nbti；  尺寸缩小；  集成电路设计；  

低功耗0.35μm 3.125Gbit/s CMOS4∶1复接器第-页

关键词: cmos；  复接器；  低功耗；  光纤通信；  

一种适用于高清视频解码的反离散余弦变换的VLSI实现(英文)第-页

关键词: 超大规模集成电路；  反离散余弦变换；  hdtv解码；  乘累加器；  精度分析；  

700V VDMOS设计第-页

关键词: vdmos；  击穿电压；  特征导通电阻；  数值模拟；  

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管大信号I-V特性模型(英文)第-页

关键词: 器件模拟；  大信号模型；  

亚微米CMOS工艺中GG-NMOS结构ESD保护电路改进设计第-页

关键词: esd；  栅耦合；  hbm；  mm；  

N型SiC的Ni基欧姆接触研究(英文)第-页

关键词: sic；  欧姆接触；  ni；  n离子注入；  c空位；  

超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质可靠性研究(英文)第-页

关键词: 击穿；  可靠性；  tddb特性；