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电子器件 2006年第03期杂志 文档列表

基于SOI衬底的一种新型磁敏晶体管研究第609-612页

关键词: 双注入；  磁敏晶体管；  soi衬底；  磁场测量；  mems；  

一种异步快速傅立叶变换处理器设计第613-616页

关键词: 异步集成电路；  异步数据通路；  异步乘法器；  快速傅立叶变换；  

减少纳米MOS器件栅电流的研究分析第617-619页

关键词: 高k；  栅电流；  量子模型；  mosfet；  

一种多模式工作的TFT LCD栅驱动芯片设计第620-623页

关键词: 栅驱动；  逻辑控制；  模式选择；  分段清零；  

薄栅氧化层斜坡电压TDDB击穿参数的研究第624-626页

关键词: 薄栅氧化物；  tddb；  斜坡电压法；  击穿参数；  

基于共振隧穿二极管的集成电路研究第627-634页

关键词: 共振隧穿二极管；  集成电路；  高频；  低功耗；  

基区Ge组分分布对SiGe pnp HBT的影响第635-638页

关键词: sige；  pnp；  hbt；  ge分布；  

一种基于微加工技术的微型电场传感器的设计与制造第639-642页

关键词: 电场传感器；  微加工技术；  压电陶瓷；  

新型高效同步整流式DC—DC开关电源芯片的设计第643-646页

关键词: 同步整流；  斜波补偿；  死区时间控制；  电流采样；  

基于传统的CMOS工艺延伸漏极NMOS功率管研究第647-650页

关键词: 互补mos工艺；  延伸漏极n型mos；  二维器件模拟软件；  击穿电压；  

Garfield 5 微处理器芯片的电源网络和面积优化第651-653页

关键词: 布局；  面积；  电源环；  电源网络；  

多晶硅薄膜晶体管器件退化机制研究进展第654-659页

关键词: 低温多晶硅薄膜晶体管；  可靠性；  自加热退化；  热载流子退化；  

不锈钢表面亚磷酸三甲脂低温等离子体聚合膜的制备和表面特性的试验研究第660-662页

关键词: 低温等离子体聚合；  亲水性；  表面改性；  不锈钢表面；  

硅衬底清洗液中FA／O螯合剂的应用研究第663-665页

关键词: 硅；  清洗；  金属污染物；  

负折射指数物质与潜在应用第666-671页

关键词: 负等效介电常数；  负等效磁导率；  负折射率；  开口谐振环；  左手物质；