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电子器件 2006年第01期杂志 文档列表

PECVD淀积介质层对MOSFET性能的影响第1-4页

关键词: 等离子损伤；  保护介质层；  pecvd；  

高压功率VDMOS管的设计研制第5-8页

关键词: vdmos；  优化外延层；  终端保护技术；  

一种在砷化镓上形成欧姆接触的新型六层金属系统第9-11页

关键词: 膺配高电子迁移率晶体管；  欧姆接触；  退火；  砷化镓；  

4GHz 300 mW InGaP／GaAs HBT功率管研制第12-14页

关键词: 咱对准；  gaas；  ingap；  功率异质结双极晶体管；  

双层InGaAs沟道InP HEMT第15-17页

关键词: hemt；  ihp；  双沟道；  迁移率；  

DRI MC SOI LIGBT器件漂移区新结构的可实现性第18-21页

关键词: soi；  ligbt；  减薄漂移区；  新结构；  可实现性；  

六硼化镧材料的化学腐蚀工艺研究第22-24页

关键词: 硼化镧；  单晶；  光刻；  化学腐蚀；  

基于0．25μm CMOS工艺的1.25Gb/s1：10分接器设计第25-28页

关键词: 千兆以太网；  分接器；  pma层；  scfl逻辑；  comma检测；  

10Gb／s0．18μm CMOS光接收机前置放大器第29-32页

关键词: 前置放大器；  跨阻放大器；  rgc；  有源电感；  光接收机；  cmos工艺；  

一种基于准浮栅技术的超低压折叠运算放大器设计第33-36页

关键词: 准浮栅；  超低压；  运算放大器；  cmos；  

双频段接收机中的BiFET低噪声放大器第37-40页

关键词: 低噪声放大器；  身频芯片；  bifet结构；  双频段接收机；  ism频段；  

一种输出电压可编程的闭环CMOS VGA的设计第41-43页

关键词: cmos；  ific；  可变增益放大器；  自动增益控制电路；  基带dsp；  

一种ASK接收器中的中频对数放大器IC设计第44-47页

关键词: 对数放大器；  中频放大器；  

新型的DSP处理器高速低功耗多功能乘累加单元第48-52页

关键词: 乘累加单元；  异步流水线；  部分积字校正；  三维压缩法；  

场发射阵列阴极在行波管中的应用第53-57页

关键词: 行波管；  场发射阵列；  碳纳米管；